全穆勒矩阵测量，反演更稳定、参数解耦更强、复杂结构更准
可测各向异性、双折射、退偏、结构不对称
SEAL-ED
本设备基于全穆勒矩阵偏振光谱测量技术，实现对半导体微纳结构的非接触、无损、高精度 OCD 量测。可同时测量CD、高度、深度、侧壁角、膜厚、粗糙度、应力、光学常数等关键参数。
主要特点
全穆勒矩阵测量
4×4 矩阵，16 维偏振信息，远超传统椭偏
可测各向异性、双折射、退偏、结构不对称
反演更稳定、参数解耦更强、复杂结构更准
亚纳米级量测精度
CD 精度
高度 / 深度精度
侧壁角 SWA 精度
宽光谱覆盖（DUV–NIR–MIR 可选）
波长：可选 MIR 中红外
增强高纵横比结构穿透能力，适合 3D NAND 深沟槽、深孔测量
应用场景
前道 FEOL
光刻：光刻胶 CD、硬掩模、SWA
刻蚀：Fin、GAA、STI、沟槽轮廓
薄膜：HKMG、多层膜、n/k、应力
中道接触层 MEOL
3D NAND：通道孔、阶梯刻蚀
字线 / 栅线：CD、间距、对称性
后道 & 先进封装 BEOL
后道互连：Cu、低 k 介质厚度
先进封装：TSV、Cu 柱、微凸点
重布线层：RDL 线宽 / 厚度 / 均匀性
宽禁带半导体
SiC/GaN： 沟槽、外延层、膜厚、光学常数
