锭片一体式量测：既能测锭、也能测片，且具备标准分析功能、Maping功能
金属薄膜均一性：涡流法更适用于测量较厚、高导电性的金属薄摩膜
UltraElectricR2
UltraElectricR2系统基于涡流法测试技术，可实现对纳米级薄膜电阻率、方阻等核心电学参数的无损精准测量，满足从实验室级材料科研究到量产线工艺监控的全场景需求。
产品优势
锭片一体式量测：既能测锭、也能测片,且具备标准分析功能、maping功能。
金属薄膜均一性：涡流法更适用于测量较厚、高导电性的金属薄膜。
离子注入工艺表征：可用于识别由于灯故障、晶圆/压板接触触不良或注入量变化引起的热点和冷点。
应用场景
晶圆加工
金属化层、晶圆掺杂变化、衬底表征、离子注入变化分布、激光退火表征
技术
金属沉积、柔性衬底表征、薄膜diandaolv变化分布、激光退火表征
研发及其他应用
柔性薄膜电阻率、过滤网、多层薄膜表征、金属薄膜、可穿戴设备、可充电电池
