金属薄膜均一性：用四探针可测量较薄金属薄膜（>10Ω/sq）
系统采用四探针（4PP法），通过四个等间距的探针与被测材料接触，以测量材料的电阻率、方块电阻等参数
UltraElectric R1
UltraElectric R1自动电阻率测试系统，在晶圆的封装测试阶段提供一整套完整的电阻率测试和解决方案。系统采用四探针（4PP法），通过四个等间距的探针与被测材料接触，以测量材料的电阻率、方块电阻等参数。
产品优势
金属薄膜均一性：用四探针可测量较薄金属薄膜
离子注入工艺表征：可用于识别由于灯故障、晶圆/压板接触不良或注入量变化引起的热点和冷点
用户可设定测量点位分布，包含矩形、线形、极坐标式和自自定义点位图
应用场景
晶圆加工
金属化层、晶圆掺杂变化、衬底表征、离子注入变化分布、激光退火表征
技术
金属沉积、柔性衬底表征、薄膜diandaolv变化分布、激光退火表征
研发及其他应用
柔性薄膜电阻率、过滤网、多层薄膜表征、金属薄膜、可穿戴设备、可充电电池
