全材质覆盖： 轻松应对 SiO2、Si2N2、多晶硅（Poly-Si）以及各类高介电常数（High-k）和低介电常数（Low-k）材料
超薄膜解析能力： 针对先进制程中的 ALD（原子层沉积）工艺，实现亚纳米级（<1nm）极薄膜的稳定量测
UltraFilm F3
UltraFilm F3 专为半导体前道制程设计的高精度介质膜量测系统。采用先进的宽光谱椭偏技术，致力于为氧化、扩散及各类沉积（CVD/ALD）工艺提供关键的膜厚与光学常数（n, k）数据。其卓越的灵敏度能够精准捕捉亚纳米级的厚度波动，确保先进制程下复杂电介质层的质量一致性。
主要特点
全材质覆盖： 轻松应对 SiO2、Si2N2、多晶硅（Poly-Si）以及各类高介电常数（High-k）和低介电常数（Low-k）材料。
超薄膜解析能力： 针对先进制程中的 ALD（原子层沉积）工艺，实现亚纳米级（<1nm）极薄膜的稳定量测。
物理参数深度表征： 除膜厚外，同步精确提取材料的折射率（n）、消光系数（k）
产品应用
前道与栅极制程(FEOL)
超薄栅氧化层：SiO2,Si3N4、High-k介质：Al2O3、多晶硅：Poly-Si、隧道氧化层：极薄介质层(<2nm)
后道与平坦化制程 (BEOL/CMP)
层间绝缘膜：ILD/IMD、Low-k材料：SiOC,多孔介质、CMP工艺：抛光后余膜检测、全圆Mapping：均匀性与边缘监控
存储与先进封装 (NAND/PKG)
3D NAND 堆栈：ONON/OPO、硬掩模层：ACL,SOC,SiN牺牲层、钝化层：封装级Al203,PI膜层、TSV/Bumping：电介质衬垫量测
