全面支持从单层到多层的复杂膜层的分层解析与总厚度测2定
可拓展晶圆形貌、薄膜应力、方阻检测能力
UltraFilm F3s
UltraFilm F3s 基于“高精度的宽光谱探测”与“多维光信号解析技术”，专为硅、氮化镓、碳化硅等半导体外延及薄膜工艺量身打造。该设备能够依据不同器件与工艺的严苛要求，实现对单层或多层外延薄膜厚度及光学常数的精准测量与实时监控，已成为外延制造工艺中不可或缺的关键质控环节。
主要特点
· 全面支持从单层到多层的复杂膜层的分层解析与总厚度测定
· 可实现GaN-on-SiC、GaN-on-Si等典型外延结构的表征
· 可拓展晶圆形貌、薄膜应力、方阻检测能力
· 量测范围覆盖10Å-50μm,实现超高精密量测
产品应用
硅基外延膜：同质外延(Si/Si)、异质外延(SiGe/Si)
氧化物外延膜：压电薄膜(LiTaO3、LiNbO3)、其他氧化物(VO2、TiO2)
宽禁带半导体外延膜：SiC同质单/多层外延(SiC/SiC)、金刚石外延膜
化合物半导体外延膜：III-V族材料(GaN、GaAs、InP)、II-VI族材料(ZnO、CdTe)
